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闪存flash读写的基本原理是什么

首先讲述的是基本原理,因为前面总结了很多基本原理,所以这个位置比较粗略的带过。

闪存flash的读写原理


从图上可以看出,Vt为开启电压,对于N沟道的cmos,当门极加的电压逐渐变大的时候,多数载流子被门极所吸引,向上移动,形成N型沟道,N型半导体即被导通,有导通电流。开始有导通电流的门极所加的电压我们称为开启电压,随着开启电压的增大,电流逐渐增大。这就是cmos管的基本原理。

从cmos管过渡到nand flash:

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和cmos不同的是,在门极附近加了浮栅,浮栅的两边是氧化层。

当写的时候,加入足够大的门极电压,就可以通过氧化层的隧穿效应,将电子打入到浮栅中完成写0的过程;

当擦除的时候,就加反向电压同样利用隧穿效应让电子从氧化层出来,就可以完成擦除功能。

当读的时候,由于浮栅里面有电子,会有反向电场,这个时候会导致开启电压增大,读的时候就是靠这个特性,给门极加大于开启的电压的电压值,则沟道导通,会有导通电流,通过导通电流即可分析是否是0。


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